FIB (芯片)
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检测项目： FIB技术应用
定义：
FIB（ Focused lon beam）是将液态金属（Ga）离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像。此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似，或用强电流离子束对表面原子进行剥离，以完成微、纳米级表面形貌加工。通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属，氧化硅层或沉积金属层。
电路修改：
用 FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试， 以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部分区域有问题， 可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能，以便找到问题的症结。FIB还能在最终产品置产之前提供部分样片和工程片，利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数， 缩短研发时间和周期。
探针测试键生长
在复杂C线路中任意位置引出测试点，以便进一步使用探针台（ Probe- station）或E-beam直接观测IC内部信号。
截面分析
1、FIB可在IC芯片特定位置作截面断层，以便观测材料的截面结构与材质，定点分析芯片结构缺陷。这样可以帮助IC设计人员对IC设计机能的分析。
2、SEM/FIB双束系统主要用于在金属，半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳结构。 同时， 配备纳米机梳手之后， 可以定点制备TEM样品， 此仪器是探索决定物质表观特性微观本质的强有力工具。
透射电镜样品制作
这—技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的 包覆颗粒， 对于纤维状试样， 既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另—重要特点是对原始组织损伤很小
适用行业：
通信、军工电子、航空电子、汽车电子、医厅器械、智慧电视、显示终端、照明光电、消费电子、IC芯片、元器件、连接器、新能源、电池、充电桩、物联网、机器人、无人机、光伏、逆变器、家用电器、仪器仪表、船用电子、散热器、UPS、电源、投影仪等行业的芯片。
